GB/T 25076-2018 光伏储能 国家标准 现行

📅 发布：2018 · 🏛 未分类来源

ICS 29.045 H 82 Ht 4B AK Be Je AI Ge] Ge] Bt Bas HE GB/T 25076—2018 代替 GB/T 25076—2010 太阳能电池用硅单晶 Monocrystalline silicon for solar cell 2018-09-17 发布 2019-06-01 实施 GB/T 25076—2018 前 了路 本标准按照 GB/T 1.1一2009 给出的规则起草 。 本标准代替 GB/T 25076一2010太阳电池用硅单唱》,与 GB/T 25076一2010 相比主要技术变化如下， 一一将标准名称人《太阳电池用硅单唱》修改为(太阳能电池用硅单唱); 一一修改了适用范围,将“适用于直拉挫杂制备的地面空间太阳电池用硅单晶?改为“适用于直拉扒 杂人制备的圆形硅单晶经加工成的准方形或方形硅单晶。产品用于切割成硅片后进一步制作地 面太阳能电池”(见第 1 章,2010 年版的第 1 章); 一一增加了引用文件 GB/T 1551.GB/T 14844,GB/T 26068, GB/T 32651 及 YS/T 28、YS/T 679 ,删 除了 GB/T 1552,GB/T 1553,SEMI MF 1535【〔见第 2 ®&); 一一增加了牌号的规定(见 4. ; 一一将 2010 年版中第 4 章技术分类中的 4.1 分类和 4.2 规格单独列为一章,即增加了“第4 章牌号 及分类”;将按外形分类由原来的圆形和准方形(2010 年版的 4.1)改为准方形和方形;删除了 圆形硅单晶规格 ,增加了方形硅单晶的规格(见 4.1、4.2); 一一删除了圆形硅单晶的尺寸要求(见 2010 年版的 4.3.1) ,修改了准方形硅单晶的端面尺寸要求 〈见图 1 和表 1,2010 年版的图 1 和表 2) ,增加了方形硅单晶的端面斥寸要求(见图 2 和表 2); 一一将垂直度单列为一条,并增加了”淮方形或方形硅单品的端面垂直度应不大于 1 mm” YY BOR (RL 5.1.3); 一一电阻率范围下限由 0.5 Q .cm BCH P HY 0.2 0 .cmJN型 01 Q .cm(见表 3,2010 年版的表 3); 一一修改了硅单唱的间隙氧含量要求,由小于 1.3 X10" atoms/cm’ 改为P型应不大于 1.1X 10° atoms/cm’ ,N 型应不大于 1.010" atoms/cm’ ,或由供需双方协商确定(见 5.4,2010 年版的 4.6); —(BR TRA RA RiRA BER, AARKF 1.0X10" atoms/cm?’ 改为型应不大于 1.0 10” atoms/cm',N 型应不大于 5.010" atoms/cm’ ,或由供需双方协商确定(见 45.5, 2010 年 RAY 4.7); 一一晶体完整性中增加了无滑移位错的要求(见 5.6); 一一增加了硅单晶的体金属含量的要求(见 5.7); 一一增加了表面质量的要求(见 5.8) ; 一一增加了体金属和表面质量的试验方法.检验项目及检验结果判定的内容(见 6.10.6,.11.7.3、 7.4、7.5.3) ; 一一将取样和抽样合并改为表格的形式(见表4,2010 年版的6.4 和6.5) 。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/VTC 203) 与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)共同提出并归口。 本标准起草单位:有研半导体材料有限公司 .浙江省硅材料质量检验中心、.隆基绿能科技股份有限 公司,内蒙古中环光伏材料有限公司 .苏州协章光伏科技有限公司,泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 、洛 阳鸿泰半导体有限公司 `宣昌南玻硅材料有限公司,有色金属技术经济研究院。 APREREHA HM KRR REX BRO HK. KB. RU EH ee, 本标准所代替标准的历次版本发布情况为: 一一GB/T 25076一2010。 1 范围 本标准规定了太阳能电池用硅单唱(简称硅单晶)的牌号.分类.要求 .试验方法.检验规则以及标 GB/T 25076—2018 太阳能电池用硅单晶 志\包装、运输,贮存.质量证明书和订货单(或合同)内容。 本标准适用于直拉挫杂制备的圆形硅单晶经加工制成的准方形或方形硅单晶。产品经切割成硅片 后进一步制作太阳能电池 。 2 规范性引用文件 件。 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅